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FFA40UP35S
—
Ultrafast Diode
www.fairchildsemi.com
2
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FFA40UP35S Rev. C1
Electrical Characteristics TC = 25oC
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VF1
IF
= 40 A
IF
= 40 A
TC = 25oC
TC = 125oC
-
-
-
-
1.6
1.5
V
IR1
VR
= 350 V
TC = 25oC
VR
= 350 V
TC = 125oC
-
-
-
-
100
500
?A
trr
IF
= 1 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR
= 30 V
IF
= 40 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR
= 230 V
TC = 25oC
-
-
26
28
53
55
ns
ta
tb
Qrr
IF
= 40 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR
= 230V
TC = 25oC
-
-
-
17
11
36
-
-
-
ns
ns
nC
WAVL
Avalanche Energy ( L = 40 mH)
20
-
-
mJ
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
Test Circuit and Waveforms
Notes:
1: Pulse: Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
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